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采用双堆栈技术,三星第七代 V NAND 闪存可达 176 层

时间:2020-09-14来源: 作者:admin点击:
根据韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代VNAND闪存芯片将达到176层,并将于明年4月实现量产。这将是业界首个高于160层的高级别的NAND闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自2002年以来一直在全球NAND闪存市场中排名第一的地位。图片源自flickr相

按照韩媒报道,三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展,第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层,并将于明年 4 月实现量产。这将是业界首个高于 160 层的高级另外 NAND 闪存芯片,三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距,维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的地位。

图片源自 flickr

比拟于上一代闪存,第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。三星的第六代 NAND 闪存是 128 层,于今年 6 月开始量产,而第七代闪存将达到 176 层,尽管并没有达到其最初计划的 192 层,但依然有着明显的进步。

据悉,第七代 NAND 闪存采用了 “双堆栈”技术,这是一种可以将通孔分成两部分的,以便电流通过电路的方法。过去的单堆栈只能有一部分通孔,随着堆栈层数的增多,工艺也随之改进。

今年 6 月,三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施,以扩大 NAND 闪存的生产线,并预计该设施将于 2021 年下半年投入运营。三星暗示,将在新地点大规模生产尖端 NAND 存储芯片,可能比原计划更早开始量产第七代 NAND 闪存芯片。

与 ARAM 比拟,NAND 闪存是更具代表性的存储芯片,且其存储容量随着堆栈数的郑家而增加,因此堆栈的层数也被视为 NAND 闪存的核心竞争力。

三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量,引领高级 NAND 闪存的开发。

自 2006 年以来,三星一直研究 3D NAND 闪存。在存储芯片的发展过程中,随着存储数据的单元变小,当线宽小于 10nm 时,便容易受到单元同单元之间的干扰,而 3D NAND 闪存能够垂直放置在平面中排列的单元,以减少单元间的干扰。这是一种通过像公寓一样垂直堆叠现有平面结构 NAND 来增加存储容量的方法,在业界被称之为 3D NAND 闪存,被三星独立命名为 V NAND。

2013 年,三星成功量产了世界上第一个三维单元结构的 V NAND 闪存,从而改变了技术范式。当时许多人对 V NAND 闪存的商业化暗示怀疑,不外现在所有的存储芯片公司都在展开激烈的 3D NAND 闪存竞争。长江存储的 128 层 3D NAND 闪存已于今年宣布量产,英特尔也有今年发布了 144 层 3D NAND 闪存,SK 海力士目前处于 176 4D NAND 研究阶段,此外还有西部数据(Western Digital)和铠侠(Kioxia)等公司也在竞争之列。

在第一代(24 层)V NAND 闪存商业化之后,三星持续增加堆栈层,目前已经发展到第二代(32 层)、第三代(48 层)、第四代(64/72 层)、第五代(92/96 层)和第六代(128 层)。通常更新一代,需要 1 到 2 年时间。

三星于去年 8 月完成 128 层 V NAND 闪存的开发,并实现量产。当时,三星宣布已经向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 闪存的企业 PC 固态驱动器(SSD)。

在 NAND 闪存市场上,三星一直业界领先。去年,三星以 165.17 亿美元的销售额占据全球市场的 35.9%,在 NAND 闪存市场中排名第一,持续自 2002 年以来的领先地位。

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